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SMK325BJ223KN-T 发布时间 时间:2025/7/1 5:21:27 查看 阅读:7

SMK325BJ223KN-T 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而有效降低功耗并提升系统效率。此外,该器件还具备出色的热性能和可靠性,能够适应严苛的工作环境。

参数

型号:SMK325BJ223KN-T
  类型:N沟道增强型MOS-263 (DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):48A(脉冲)
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):180W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
  结温范围(Tj):-55°C至+175°C

特性

SMK325BJ223KN-T 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗,提高效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
  4. 符合RoHS标准,环保且适用于现代绿色设计要求。
  5. 优化的热性能设计,支持高功率密度应用。
  6. 内置静电防护(ESD)功能,提升了产品在实际使用中的可靠性。
  7. 紧凑的封装尺寸,便于PCB布局与散热设计。

应用

该器件适合用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各类DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
  7. 能量存储系统中的电池保护与充放电管理电路。

替代型号

SMK325BJ223K-P, IRF840, FDP5580

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SMK325BJ223KN-T参数

  • 安装类型表面贴装
  • 容差±10%
  • 容差 正+10%
  • 容差 负-10%
  • 封装/外壳1210
  • 尺寸3.2 x 2.5 x 1.9mm
  • 最低工作温度-55°C
  • 最高工作温度+85°C
  • 深度2.5mm
  • 温度系数±10%
  • 电介质X5R
  • 电压630 V 直流
  • 电容值22nF
  • 长度3.2mm
  • 高度1.9mm