型号：SMK316B7682KFHT
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　电容值：6800pF (6.8nF)
　　额定电压：630V DC
　　电容容差：±10%
　　温度特性：X7R (±15%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数：多层
　　端接：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
　　RoHS合规性：是
　　无卤素：是

SMK316B7682KFHT所采用的X7R陶瓷介质材料是一种稳定的铁电体配方，能够在宽温度范围内提供相对稳定的电容性能，其电容变化率在-55°C到+125°C之间不超过±15%，这使得该器件非常适合用于对温度稳定性要求较高的应用场景。相较于Y5V等其他介质类型，X7R在温度变化下的电容波动更小，同时仍能实现较高的体积效率，因此在工业级和汽车级电子设计中被广泛采用。该电容器具备高达630V DC的额定电压，使其能够在高压电源系统中安全运行，例如在PFC（功率因数校正）电路、高压DC-DC变换器或AC-DC整流后的滤波环节中发挥关键作用。其6800pF的电容值在高压MLCC中属于中等偏高水平，能够有效抑制高频噪声并提供足够的储能能力。
　　该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜）实现高电容密度，同时保持较小的物理尺寸。这种结构不仅提高了单位体积内的电容值，还增强了器件的机械强度和热循环耐久性。SMK316B7682KFHT的1210封装形式兼顾了焊接可靠性和空间利用率，在自动化贴片工艺中表现出良好的可制造性。其端电极为三层电极结构（Inner/Ni/Sn），提供了优异的焊接性能和长期环境耐受性，有效防止了因潮湿、热应力或电迁移导致的失效问题。此外，该产品符合RoHS和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的环保标准。
　　由于其高电压和中等电容值的组合，SMK316B7682KFHT在EMI滤波电路中也具有重要应用价值，特别是在跨接于电源线之间的安规电容（如Y电容）替代方案中，尽管需注意其并非专为安全认证设计。在实际使用中，应避免施加超过额定电压的瞬态电压，并考虑电压降额以提升长期可靠性。总体而言，该器件凭借其稳定的电气性能、高耐压能力和可靠的封装技术，成为高压、高可靠性电子系统中的优选MLCC之一。

SMK316B7682KFHT主要应用于需要高电压稳定性和良好温度特性的电子电路中。典型应用包括工业电源系统中的高压滤波与去耦，例如在DC-DC转换器的输入或输出端用于平滑电压波动和抑制高频噪声。在AC-DC电源模块中，该电容器可用于初级侧的缓冲电路或RCD钳位电路中，吸收开关管关断时产生的电压尖峰，保护功率器件。此外，在逆变器和变频器等电力电子设备中，SMK316B7682KFHT可作为谐振电容或耦合电容使用，尤其适用于中等频率范围内的信号传递或能量存储。
　　在通信电源和服务器电源系统中，该器件常用于高压旁路和局部去耦，确保数字控制电路与高压功率部分之间的信号完整性。在LED驱动电源中，尤其是在高压恒流源设计中，SMK316B7682KFHT可用于反馈回路的滤波或补偿网络，提高系统的动态响应和稳定性。另外，在测试与测量仪器、医疗电子设备以及汽车电子（如车载充电机OBC或DC-DC模块）中，该电容器因其高可靠性和宽温工作能力而受到青睐。
　　值得注意的是，虽然该电容器具备较高的额定电压，但其并非专为安规认证（如Y电容）设计，因此不建议直接用于跨接在强电与弱电之间的安全隔离场合。在布局时，应保证足够的爬电距离和电气间隙，尤其是在高湿度或污染等级较高的环境中。推荐在PCB设计中采用适当的焊盘设计和回流焊工艺，以避免因机械应力或热失配导致的裂纹风险。总之，该器件适用于多种高压、高性能的工业与电源类应用，是现代高密度电子系统中不可或缺的被动元件之一。

GRM31MR71C682KA12D
　　C3216X7R1C682K160AB
　　KRM31BR71C682KA-D