时间：2025/8/9 5:48:46
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FGW35N60HC是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率N沟道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，具有较高的效率和可靠性。FGW35N60HC主要面向工业电机控制、逆变器、电源转换系统等应用，具有600V的高击穿电压和35A的额定集电极电流。
类型：N沟道IGBT
最大集电极电流（IC）：35A
最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
栅极-发射极电压（VGES）：±20V
导通压降（VCEsat）：典型值为1.45V（在IC=35A时）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：TO-247
FGW35N60HC采用了富士电机的第五代IGBT技术，具有优异的导通和开关性能。其导通压降较低，有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的短路耐受能力和热稳定性，适用于高可靠性和高效率要求的应用。FGW35N60HC还具备较高的dv/dt耐受能力，能够在高电压变化率环境下稳定运行。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中能够有效散热。
FGW35N60HC广泛应用于工业领域的高功率电子设备中，例如交流电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等。其高电压和高电流能力使其成为工业自动化、能源管理和电力电子系统的理想选择。
FGW35N60HDF
