类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：128K x 8
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　数据宽度：8位
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下低至10mA）

GM76C8128CLEFW-55是一款高性能SRAM芯片，采用先进的CMOS技术制造，具有优异的稳定性和低功耗特性。该芯片支持高速访问，访问时间仅为55ns，适用于对响应速度要求较高的应用场景。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其能够适应多种电源设计，提高了系统的兼容性和灵活性。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该芯片的封装形式为TSOP，体积小巧，便于在高密度电路板上布局。其并行接口设计简化了与微处理器或控制器的连接，提高了系统集成的效率。在待机模式下，芯片的功耗可降至10mA以下，有助于延长设备的电池寿命。此外，GM76C8128CLEFW-55还具备优异的抗干扰能力和高噪声抑制性能，确保数据的稳定性和完整性。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和处理的电子设备中，例如：
　　? 通信设备（如路由器、交换机）
　　? 工业自动化控制系统
　　? 嵌入式系统和微控制器单元（MCU）
　　? 消费类电子产品（如智能家电、游戏设备）
　　? 汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统）
　　? 测试与测量仪器

ISSI IS62LV128AL55TLI-PLUS1、Cypress CY62148EDE20LL、Alliance AS7C3128A-55JC、ON Semiconductor MR48V128A-55