BAS316RR 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的双通道 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于高效率电源管理和开关电路中。该器件采用小型的 TSOP 封装,具有较低的导通电阻和优良的热性能,适合用于需要紧凑设计和高性能的应用场景。BAS316RR 以其高可靠性和良好的电气特性在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):100 mA
漏极-源极电压(VDS):250 V
栅极-源极电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):最高2.5Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TSOP
BAS316RR MOSFET 具备多项优异的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下的最小功率损耗,从而提高了整体效率。这在需要高效能转换的电源管理系统中尤为重要。
其次,BAS316RR 的高漏极-源极电压(VDS)能力使其能够承受较高的电压应力,适用于多种高压开关应用。其栅极-源极电压(VGS)范围较宽,允许在不同的控制电压下稳定工作。
此外,该器件采用 TSOP 封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。TSOP 封装还具有良好的散热性能,有助于提高器件的长期稳定性和可靠性。
BAS316RR 的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +150°C,能够在极端环境下正常运行,这使其非常适合用于汽车电子和工业控制系统等对可靠性要求较高的场合。
最后,该 MOSFET 的双通道设计允许在单个封装中实现两个独立的开关功能,减少了外围元件的数量,简化了电路设计,并提高了系统的集成度。
BAS316RR 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统,提高能源转换效率;
2. 汽车电子:如车身控制模块、LED 照明驱动和车载充电系统;
3. 工业控制:用于 PLC、传感器接口和电机控制电路;
4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和负载管理;
5. 通信设备:用于基站电源模块、网络交换设备中的高效开关电路。
由于其高可靠性和紧凑封装,BAS316RR 也常用于需要高密度布局和长期稳定运行的嵌入式系统中。
BSS138LT, 2N7002K, FDS6675, SI2302DS