SMF5950A是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它通常被用于电源转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能和可靠性的电子系统中。
SMF5950A以其紧凑的封装和优异的电气特性而著称,能够显著降低功率损耗并提高系统的整体效率。其设计特别适合于要求低功耗和高效率的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:43A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:80nC
输入电容:1720pF
输出电容:420pF
反向传输电容:170pF
工作温度范围:-55℃至175℃
SMF5950A具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,确保在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高额定漏极电流支持大功率应用。
3. 快速开关能力,有助于减少开关损耗。
4. 小尺寸封装,便于PCB布局和设计优化。
5. 宽工作温度范围,适应极端环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
7. 稳定性和可靠性高,适合长时间运行的关键任务应用。
SMF5950A广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理。
6. 电池保护和管理系统中的开关元件。
7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
SMF5950AL, SMF5950AS, IRF540N