时间：2025/7/25 7:34:42
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VP0550N3-G-P013 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频率开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器和电机控制等领域。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，从而在高负载条件下也能保持高效运行。VP0550N3-G-P013 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），适合自动化生产和紧凑型设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
最大连续漏极电流（ID）：130 A
最大导通电阻（RDS(on)）：5.5 mΩ（在 VGS=10V）
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
VP0550N3-G-P013 具有低导通电阻（RDS(on)）特性，可显著减少导通损耗，提高系统效率。其最大 RDS(on) 仅为 5.5 mΩ，并且在 VGS=10V 时能提供最佳性能。该器件支持高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 130A，适用于高功率密度设计。此外，该 MOSFET 具有低门极电荷（Qg）和快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。TO-252（DPAK）封装不仅提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。VP0550N3-G-P013 的工作温度范围宽，可在恶劣环境中稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在各种驱动条件下稳定工作。其先进的沟槽式结构优化了电场分布，提高器件的击穿电压稳定性。同时，该 MOSFET 在高温下仍能保持较低的 RDS(on)，减少热失控风险，提高整体系统的可靠性。
VP0550N3-G-P013 主要应用于高效能电源系统，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及服务器电源和电信设备电源模块。其高电流能力和低导通电阻特性也使其适用于电动工具、无人机和工业自动化设备中的功率控制电路。此外，该器件还可用于电源管理单元（PMU）中的开关元件，以提高系统效率并减少热量产生。
SiS6686, IRF1324S-7PPBF, Nexperia PSMN1R5-25YL
