类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

SMC130A具有多个显著的电气和物理特性，使其在功率电子设计中具有很高的适用性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件的最大漏极电流可达30A，适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。此外，SMC130A的漏源电压额定值为100V，能够在较高电压环境下稳定工作，具备良好的耐压能力。
　　在封装方面，SMC130A采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，具有良好的热管理能力，适用于高功率密度设计。该封装形式还支持自动化装配，提高生产效率。同时，其工作温度范围为-55°C至175°C，具备出色的热稳定性和宽泛的工作环境适应性。
　　该MOSFET的栅源电压最大为±20V，提供了较宽的驱动电压范围，便于与不同类型的驱动电路兼容。此外，SMC130A具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频率开关应用，如同步整流器和高频电源转换器。

SMC130A主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统、电池充电器和负载开关电路。此外，它也可用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车和便携式电子产品中的功率控制模块。由于其优良的热性能和高电流处理能力，SMC130A特别适合于需要长时间高负载工作的应用场景。

IRF1405, STP30NF10, FDP130N10