时间：2025/6/11 19:42:54
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NLSX4373DR2G 是一款由 Nexperia 生产的高效双路 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件主要应用于电源管理、电机驱动以及信号切换等场景。其小型化设计使其非常适合空间受限的应用场合。
型号：NLSX4373DR2G
品牌：Nexperia
类型：双路 N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.6mΩ
Id（连续漏极电流）：150A
Vgs(th)（阈值电压）：1.8V
封装：LFPAK56E (Power-SO8)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NLSX4373DR2G 具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。
2. 高电流承载能力，可满足大功率应用需求。
3. 小型化的 LFPAK56E 封装设计，适合紧凑型电路板布局。
4. 支持宽广的工作温度范围，适应各种极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
6. 内部集成两个独立的 N 沟道 MOSFET，简化了电路设计和元件数量。
NLSX4373DR2G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 电机驱动和控制中的功率级开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 通信设备和工业自动化中的信号切换。
5. 汽车电子系统中的大电流负载控制。
6. LED 照明驱动中的高效功率转换。
NLD2928LH, NTD4990N
