时间：2025/6/25 8:36:36
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CRJD390N65GC是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型结构。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景中。
这款MOSFET以其高耐压和低导通电阻为特点，能够提供高效的功率控制和快速的开关性能。
型号：CRJD390N65GC
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：90A
最大功耗Pd：475W
导通电阻Rds(on)：45mΩ
总栅极电荷Qg：185nC
开关速度：快速恢复
封装形式：TO-247
CRJD390N65GC具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：高达650V的漏源电压使其适用于高电压环境下的应用。
2. 低导通电阻：仅45mΩ的导通电阻可有效降低功率损耗，提升效率。
3. 快速开关性能：其较低的总栅极电荷(Qg)有助于实现快速的开关操作，减少开关损耗。
4. 大电流承载能力：支持最高90A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
5. 可靠性高：采用成熟的制造工艺和严格的质量控制，确保长期稳定运行。
CRJD390N65GC适用于多种工业和消费类电子领域：
1. 开关电源(SMPS)：用于AC/DC或DC/DC转换中的主开关元件。
2. 电机驱动：适用于各种类型的电机控制，包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 逆变器：在光伏逆变器和UPS系统中作为核心功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)：用于保护和管理大容量电池组。
5. 其他应用：如电动车控制器、工业自动化设备等。
CRJG390N65GC, CRJH390N65GC
