IR3N05N 时间：2025/8/27 22:13:00 阅读：5

IR3N05N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效、高可靠性的功率转换和控制应用，例如开关电源、DC-DC转换器、电机控制和照明系统。IR3N05N具有低导通电阻、高击穿电压以及良好的热稳定性，使其在多种高功率应用场景中表现出色。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏-源极电压（VDS）：55V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.2mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IR3N05N的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统的能效。该器件的导通电阻在VGS=10V时仅为5.2mΩ，使其在高电流应用中表现出色。此外，IR3N05N具有高击穿电压（55V），能够承受较高的电压应力，确保在高功率环境下的稳定运行。
　　该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。IR3N05N还具备较高的栅极电荷（Qg）特性，使其在高频开关应用中具有较好的响应能力。
　　为了增强系统的可靠性，IR3N05N具有较强的短路耐受能力和过热保护功能。这些特性使其在电源管理、电动工具、工业自动化设备和汽车电子系统中广泛应用。

应用

IR3N05N广泛应用于各种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场景中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、马达驱动器、电池充电系统、LED照明电源以及工业自动化控制设备。此外，该器件也常用于电动车辆、无人机、机器人等新兴智能硬件的电源管理系统中，提供稳定、高效的功率控制解决方案。