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TMG 50112 发布时间 时间:2025/8/4 4:25:18 查看 阅读:27

TMG 50112 是一款由德国半导体制造商英飞凌(Infineon Technologies)推出的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,属于其TRENCHSTOP?系列的一部分。该模块专为高功率应用设计,如工业电机驱动、逆变器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)和电动汽车充电系统等。TMG 50112 具备高效率、低导通压降和优秀的热管理性能,适用于要求高可靠性和高性能的电力电子系统。

参数

类型:IGBT模块
  制造商:Infineon Technologies
  系列:TRENCHSTOP?
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):50A
  导通压降(VCE_sat):约1.7V(典型值,@ IC=50A, TJ=25°C)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:PG-TO247-3
  短路耐受能力:有
  隔离电压:2500Vrms(绝缘等级)
  安装类型:通孔安装
  技术:沟槽场截止(Trench Field Stop)

特性

TMG 50112 采用英飞凌先进的沟槽场截止(Trench Field Stop)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。该模块的导通压降较低,有助于减少功率损耗并提高系统稳定性。其高达1200V的集电极-发射极电压使其适用于中高压应用,如工业变频器和新能源系统。此外,TMG 50112 支持较高的工作温度,具有良好的热稳定性和长期可靠性,适合在严苛的工业环境中使用。
  该IGBT模块还具备良好的短路耐受能力,增强了在异常工作条件下的鲁棒性。其高绝缘等级(2500Vrms)确保了在高电压应用中的安全性和稳定性。PG-TO247-3封装设计便于安装和散热管理,适用于多种功率模块设计。由于其优异的电气和热性能,TMG 50112 是需要高性能功率开关的理想选择。

应用

TMG 50112 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括工业电机驱动、通用变频器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及储能系统。由于其具备低导通压降和良好的热管理能力,该模块也适用于需要高效能量转换的电源管理系统。此外,在轨道交通和智能电网等高要求的电力系统中,TMG 50112 也能提供稳定的性能支持。

替代型号

TMG 50112 可以被以下型号替代:SKM50GB12T4、FF50R12KE4、FGA25N120ANTD、IXGH50N120B2D1。

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