SMC0100 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于高效率、高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极和电场屏蔽技术,以实现更低的导通电阻(Rds(on))和开关损耗,使其在电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用中表现出色。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A(在Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大值为5.2mΩ(在Vgs=10V)
功率耗散(Pd):160W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
SMC0100 MOSFET采用STMicroelectronics的最新技术,具备优异的电气性能和热管理能力。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于高功率密度设计。SMC0100还具备快速开关特性,可减少开关损耗,提高转换效率。其坚固的结构设计和高雪崩能量耐受能力,使其在极端工作条件下也能保持稳定运行。
该器件的PowerFLAT 5x6封装具有较小的占板面积,适合紧凑型设计,并提供良好的散热性能。此外,该封装无引脚设计减少了寄生电感,有助于提升高频应用中的性能。SMC0100还具有良好的栅极电荷(Qg)控制,使其在高频开关应用中能够轻松驱动,减少控制器的负担。
SMC0100广泛应用于各类高功率、高频的电力电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统。由于其高效率和优异的热性能,该器件也常用于工业电源、服务器电源、电信设备以及新能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)。在汽车领域,SMC0100可用于车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)和48V轻混系统等应用。
STL160N10F7AG, SSM3K100A, IPW60R006S