MM3Z51W是一种瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换和其他瞬态电压尖峰的损害。该器件具有低电容、快速响应时间和较低的箝位电压特性,适合在高速数据线和信号线上使用。
MM3Z51W属于单向TVS二极管,能够在正向和反向偏置条件下有效地吸收高能量浪涌电流,从而保护敏感的下游组件。
额定电压:5.1V
峰值脉冲功率:600W(典型值,8/20μs波形)
最大反向工作电压:5.7V
击穿电压:5.9V
最大箝位电压:8.4V
漏电流:≤1μA(在VRWM下)
结电容:≤5pF
响应时间:≤1ps
封装形式:SOD-323
MM3Z51W具备出色的瞬态电压抑制能力,同时其超低电容特性使其非常适合用于高速信号线路。它能够承受IEC 61000-4-2标准中定义的±15kV接触放电和±15kV空气放电的ESD冲击。
此外,该器件的工作温度范围广,为-55℃至+150℃,确保在各种环境条件下的可靠性。MM3Z51W还符合RoHS规范,无铅设计,并满足严格的汽车级要求。
MM3Z51W广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域中的保护电路设计。具体应用场景包括:
USB接口保护
HDMI接口保护
以太网端口保护
射频天线输入保护
音频和视频信号线防护
I/O端口防护
其他需要ESD和浪涌保护的高速数据传输线路
PESD5V0X1BS, SM7G5.0AATR, SMAJ5.0A