类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：130A
　　最大漏源电压：30V
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　功耗：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

SRJ4413LF具备低导通电阻特性，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，该器件的性能非常稳定，且热阻较低，有利于散热。
　　其采用先进的沟槽栅极设计，提供了卓越的开关性能，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。
　　该MOSFET具备高雪崩能量承受能力，能够在突发短路或过载条件下保持稳定运行，从而增强系统的可靠性。
　　此外，SRJ4413LF的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，适用于自动化生产流程，并具备良好的散热能力。
　　SRJ4413LF还具备较高的栅极电压容限，支持在更广泛的电压条件下稳定运行，适用于多种复杂工况。

SRJ4413LF广泛应用于高效能电源管理系统，例如服务器电源、电信设备电源和电池管理系统。
　　该器件适用于各种DC-DC转换器设计，如降压（Buck）、升压（Boost）及反相（Buck-Boost）拓扑结构，可有效提升转换效率。
　　在电机控制和负载开关应用中，SRJ4413LF的低导通电阻和快速开关特性使其成为理想选择。
　　此外，它还适用于高频逆变器、LED照明驱动电路和高功率密度的电源模块设计。
　　由于其卓越的热性能和高可靠性，SRJ4413LF也常用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中。

SiR142DP, IRF1404, NexFET CSD17551Q5A