时间：2025/7/25 17:43:02
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SMBG5350B 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能。SMBG5350B 封装在 SMB（Small Outline Module）封装中，适合表面贴装，适用于空间受限的设计。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等应用中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：40A
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：28nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SMB
SMBG5350B 具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其 RDS(on) 值在 VGS = 10V 时仅为 5.3mΩ，使该器件在高电流应用中表现优异。此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 28nC，这有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
该器件采用先进的沟槽栅技术，提供了良好的热稳定性和耐用性，使其能够在高负载条件下可靠运行。SMBG5350B 的 SMB 封装设计支持表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性，并减少了寄生电感的影响，有助于优化高频应用的性能。
该 MOSFET 还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），使其适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。SMBG5350B 的设计符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求。
SMBG5350B 主要用于需要高效功率管理的场合，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器和电池管理系统。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率，减少热量产生。
在负载开关应用中，SMBG5350B 可用于控制电源的开启和关闭，提供快速响应和低功耗运行。在马达控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，实现马达的双向控制，并提供过流和过热保护功能。
此外，SMBG5350B 也适用于电池管理系统（BMS），用于电池的充放电控制，确保电池组的安全运行。由于其高可靠性和紧凑的封装设计，该器件在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中均有广泛应用。
IRF5305, FDD5305N, IPD530N10N3, SMBG5350C
