时间：2025/8/18 10:13:49
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CXK584000M-70LL是一款由Cypress Semiconductor（现为Infineon Technologies的一部分）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于Cypress的高速SRAM产品系列，适用于需要高速数据访问的应用。该SRAM具有较大的存储容量和较低的功耗特性，使其适用于各种嵌入式系统和高性能电子设备。
容量：512K x 8位（4Mbit）
访问时间：70ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
组织方式：字节宽数据总线（8位）
封装尺寸：54引脚TSOP
最大工作频率：约14MHz（根据访问时间计算）
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流更低）
高速访问时间：70ns的访问时间使该SRAM适用于需要快速数据存取的应用，如高速缓存、数据缓冲器等。
低功耗设计：该器件在工作和待机模式下均具有较低的功耗，适合对功耗敏感的设计。
高可靠性：采用CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和长期稳定性。
广泛的工作温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用。
标准并行接口：支持标准的并行地址和数据总线，便于与各种微控制器或FPGA等器件连接。
非易失性：虽然SRAM本身是易失性的，但其结构稳定，数据在电源保持的情况下可长期存储。
嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储；
工业控制设备中的数据缓冲器；
通信设备中的协议转换或数据包处理；
测试仪器和测量设备中的实时数据存储；
图像处理设备中的帧缓存；
FPGA或CPLD系统中的外部存储器扩展；
需要低功耗和高速度结合的便携式设备。
CY7C1041CV33-70ZSXC、IS61LV25616-70BLL、IDT71V416S85B
