时间：2025/9/11 16:27:34
阅读：9
SMAB14 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 PowerFLAT 5x6 封装技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。SMAB14 通常用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：11mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：23nC
功耗（PD）：48W
封装：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SMAB14 MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高性能功率转换应用。
首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），典型值为 11mΩ，在 VGS=10V 的条件下，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
其次，SMAB14 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提高了电流密度，并优化了开关性能，减少了开关损耗。这使其非常适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
此外，该器件的封装采用 PowerFLAT 5x6 封装技术，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
其栅极电荷（Qg）为 23nC，有助于降低驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。
最后，SMAB14 在高温环境下仍能稳定工作，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合工业级应用中的严苛环境。
SMAB14 主要应用于需要高效率和高性能的功率电子设备中。
在电源管理系统中，它常用于同步整流的 DC-DC 转换器，作为高边或低边开关，以提高转换效率并减少发热。
在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和电动工具，SMAB14 可用作负载开关或电源管理开关，实现快速通断并降低能耗。
此外，该 MOSFET 还适用于电机驱动器和 H 桥电路，能够有效控制直流电机的转向和速度，提供稳定可靠的功率输出。
在汽车电子领域，SMAB14 可用于车载充电系统、DC-DC 转换模块以及车身控制模块（BCM）中，满足汽车环境对高可靠性和耐温性的要求。
工业自动化设备中，如伺服驱动器、PLC 和工业电源模块，也广泛采用该器件以实现紧凑的电路设计和高效的功率管理。
SMD14N30-10A, IPD14N30N3, STD14N30M5, STB14N30M5
