类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.04Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220

NDB708-NL 是一款性能优异的功率 MOSFET，具有多项显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为 0.04Ω，在 VGS=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于高功率密度设计尤为重要，因为较低的导通电阻意味着在相同的电流条件下，MOSFET 的发热更少，从而降低了散热需求。其次，该器件的漏源电压（VDS）为 60V，栅源电压（VGS）为 ±20V，使其适用于中等电压的功率应用，并具备一定的过压保护能力。此外，其连续漏极电流能力为 12A，能够满足多种高电流需求的应用场景，如电机驱动和电源转换。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，这种封装形式具备良好的热管理性能，有助于热量的快速散发，确保器件在高负载下依然保持稳定运行。TO-220 封装也便于安装在散热片上，以进一步提升系统的散热能力。NDB708-NL 还具有较高的功率耗散能力，最大可达 62.5W，使其在高功耗应用中具备良好的可靠性。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表明其具备良好的环境适应性，能够在极端温度条件下正常工作，适用于工业和汽车等对环境要求较高的领域。
　　此外，NDB708-NL 采用了先进的制造工艺，具备较高的开关速度和较低的开关损耗，从而进一步提升系统的整体效率。这种特性对于需要频繁开关操作的应用（如 PWM 控制的 DC-DC 转换器）尤为重要。同时，其内部结构设计优化了电场分布，提高了器件的耐用性和稳定性，延长了使用寿命。

NDB708-NL 由于其优异的电气性能和良好的热管理能力，广泛应用于多个领域的电子系统中。常见的应用包括但不限于：DC-DC 转换器中的开关元件，用于高效地将一种直流电压转换为另一种直流电压；负载开关电路，用于控制电源的通断，保护电路免受过载或短路的影响；电机驱动系统，如直流电机的 H 桥控制，提供高电流驱动能力；以及电源管理系统，如电池充电器和电源分配系统。此外，该 MOSFET 在工业自动化设备、家用电器、汽车电子系统（如车载充电系统和电动助力转向系统）以及照明系统中也有广泛应用。由于其封装形式便于安装和散热，NDB708-NL 也常用于需要较高功率密度的设计中，例如嵌入式系统和便携式电子设备的电源管理模块。

FDPF6N60T, IRFZ44N, FQP12N60C, STP12NM60N