SM6T350A 是一款高性能的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种高电压和高电流场景。该器件采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和优秀的开关性能,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率电子应用。其额定电压为 650V,能够承受较高的漏源电压,同时具有较强的抗浪涌能力。
类型:N沟道 MOSFET
额定电压:650V
额定电流:350A
导通电阻:2.5mΩ(典型值)
栅极电荷:140nC(最大值)
输入电容:3500pF(典型值)
开关频率:最高支持 100kHz
封装形式:TO-247
SM6T350A 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 650V,适用于多种高压环境。
2. 大电流承载能力:额定电流达到 350A,适合高功率应用场景。
3. 极低的导通电阻:仅为 2.5mΩ(典型值),有助于降低功耗并提高效率。
4. 优异的热性能:采用 TO-247 封装,具备良好的散热特性,确保长时间稳定运行。
5. 快速开关能力:较小的栅极电荷和输入电容使得该器件在高频条件下表现优异。
6. 强大的抗 ESD 能力:可有效防止静电放电对器件造成损害。
7. 可靠性高:经过严格的测试与验证,能够在恶劣环境下长期工作。
SM6T350A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效且稳定的功率输出。
2. 电机驱动:用于工业电机控制和电动车驱动系统,提供强大的电流输出。
3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中实现高效的能量转换。
4. 电池管理系统(BMS):用于保护和管理大容量电池组。
5. 固态继电器:作为电子开关替代传统机械继电器。
6. 各种高压、大电流场景下的功率控制和调节。
IRFP260N, STP360N65F5, FGA360N65SMD