时间：2025/4/28 18:37:47
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BGM121N256V2是一款基于FRAM（铁电随机存取存储器）技术的非易失性存储芯片。FRAM结合了RAM和ROM的优点，具有高速写入、低功耗和高耐用性的特点。该芯片采用并行接口设计，支持宽电压范围操作，并提供高达256Kb的存储容量。
存储容量：256Kb
工作电压：1.8V~3.6V
接口类型：并行接口
数据保持时间：超过10年
擦写周期：10^12次
工作温度范围：-40℃~+85℃
封装形式：SOP-8
BGM121N256V2的主要特性包括超低功耗操作、快速写入速度和极高的耐久性。它不需要像EEPROM或闪存那样的写入延迟，可以在几纳秒内完成数据存储。
由于其非易失性，即使在断电后也能保留数据，因此非常适合需要频繁写入和可靠数据存储的应用场景。此外，该芯片还具备抗辐射能力，在恶劣环境下仍能稳定工作。
相比传统的EEPROM或闪存，BGM121N256V2具有更高的可靠性和更长的使用寿命，特别是在需要频繁更新数据的工业和医疗设备中表现尤为突出。
BGM121N256V2广泛应用于各种需要高性能存储解决方案的领域，例如工业自动化控制、医疗设备、计量仪表、汽车电子以及消费类电子产品。具体应用包括数据记录仪、实时监控系统、传感器数据存储以及嵌入式系统的配置参数保存等。
由于其快速写入和高耐久性，特别适合用于日志记录、故障诊断和关键数据保护等功能。
BGM121N256V1
BGS121N256V2
BGM121N512V2
