时间：2025/5/20 21:15:35
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MBR2H200SFT3G 是一款肖特基二极管，采用 SOD-123 封装形式。该器件以其低正向电压降和快速恢复特性而著称，非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及各种高效能电路设计中。这款二极管由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产，具有较高的可靠性与稳定性。
最大正向电流：2A
峰值反向电压：200V
正向电压降（典型值）：0.56V
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：SOD-123
MBR2H200SFT3G 的主要特性包括：
1. 超低正向电压降，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的反向恢复时间，使其非常适合高频应用。
3. 高温性能优异，能够在极端环境温度下稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
5. 可靠性高，适合长时间连续工作的应用场景。
6. 小型化的 SOD-123 封装，节省了印刷电路板上的空间。
MBR2H200SFT3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的整流和箝位功能。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 太阳能逆变器中的保护电路。
4. 汽车电子设备中的高频信号处理。
5. 各类消费类电子产品中的高效能量转换。
6. 工业控制设备中的保护与隔离电路。
MBR20200CT, MBR20100CT
