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SM350A-E 发布时间 时间:2025/8/13 22:52:18 查看 阅读:16

SM350A-E 是一款高性能、低功耗的功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具备优异的导通电阻和热性能,适用于高频率开关应用。SM350A-E 通常封装在TO-220或TO-263等封装形式中,具有良好的散热能力和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大漏极电流(Id):7A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):≤0.45Ω(典型值)
  功率耗散(Pd):75W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

SM350A-E MOSFET具有多项优异特性,使其适用于多种高功率应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具备高耐压能力,漏源电压可达500V,适用于高压电源系统。此外,SM350A-E具有良好的热稳定性和高功率耗散能力,确保在高负载条件下稳定运行。
  其封装设计(如TO-220)有助于有效散热,延长器件寿命并提升可靠性。同时,该MOSFET的栅极驱动特性优化,支持快速开关操作,减少开关损耗,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。此外,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)使其适用于各种恶劣环境条件。

应用

SM350A-E 主要应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力,该器件也适用于高效率的逆变器系统、充电器和电源适配器设计中。
  在消费类电子产品中,SM350A-E可用于电源管理模块,实现高效的能量转换和稳定的电压调节。在工业控制系统中,该MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀和其他高压负载。此外,它还可用于太阳能逆变器和电动车充电系统等新能源应用中,以提高系统整体能效。

替代型号

IRF740、FQA7N50、2SK2545、STP7NK50Z、TKA7N50

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