SM230B-E 时间：2025/8/13 19:47:48 阅读：18

SM230B-E是一款由SMC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点，适用于各类电源转换器、负载开关、DC-DC转换器以及电池管理系统等应用场景。SM230B-E采用常见的TO-220封装形式，便于散热和安装，具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：13A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SM230B-E MOSFET的核心特性在于其优异的导通性能和耐高压能力。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高频率开关应用。器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，提供更灵活的控制选项。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业控制、通信电源和消费类电子产品。TO-220封装设计有助于快速散热，提升整体系统的热管理能力。
　　该器件还具备较强的短路耐受能力，在瞬态过载条件下仍能保持稳定工作，减少因意外故障导致的损坏。同时，SM230B-E具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提升高频应用中的性能表现。由于其良好的电气特性和高可靠性，该器件广泛用于各类功率电子设备中，作为关键的开关元件使用。

应用

SM230B-E MOSFET主要应用于各种功率电子系统中，如AC-DC电源适配器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、LED照明驱动电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。该器件也常用于开关电源（SMPS）、UPS不间断电源、充电器和各类负载开关电路中。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SM230B-E也能发挥出色的性能，提供高效的电能转换方案。此外，由于其高耐压能力和良好的热稳定性，该MOSFET在一些需要高可靠性的场合，如医疗设备、测试仪器和汽车电子系统中也得到了广泛应用。