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AON6558 发布时间 时间:2025/5/22 14:54:10 查看 阅读:2

AON6558是东芝(Toshiba)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,AON6558非常适合需要高效能和低损耗的应用环境。同时,它还具备良好的热稳定性和可靠性,能够适应多种工作条件。

参数

最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大连续漏极电流Id:10A
  导通电阻Rds(on):45mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:1.2W
  工作温度范围Tj:-55℃至+150℃

特性

AON6558具有非常低的导通电阻Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  此外,其快速开关速度可有效降低开关损耗,从而提升系统的性能。
  器件支持较高的漏源电压Vds,能够满足大多数低压应用的需求。
  AON6558还拥有良好的热特性和电气稳定性,即使在极端条件下也能保持可靠运行。
  为了便于设计,该器件采用了标准的TO-252封装形式,易于焊接和集成到各种电路板上。

应用

AON6558适用于众多领域中的电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和电平转换。
  3. 电机控制和驱动,如小型直流电机或步进电机。
  4. 各类负载开关场合,用以实现动态负载管理。
  5. 过流保护电路,提供短路保护功能。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP5512

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AON6558参数

  • 现有数量94,943现货
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.47497卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta),28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1128 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),24W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线