AON6558是东芝(Toshiba)公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。
由于其低导通电阻和快速开关特性,AON6558非常适合需要高效能和低损耗的应用环境。同时,它还具备良好的热稳定性和可靠性,能够适应多种工作条件。
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大连续漏极电流Id:10A
导通电阻Rds(on):45mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:1.2W
工作温度范围Tj:-55℃至+150℃
AON6558具有非常低的导通电阻Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
此外,其快速开关速度可有效降低开关损耗,从而提升系统的性能。
器件支持较高的漏源电压Vds,能够满足大多数低压应用的需求。
AON6558还拥有良好的热特性和电气稳定性,即使在极端条件下也能保持可靠运行。
为了便于设计,该器件采用了标准的TO-252封装形式,易于焊接和集成到各种电路板上。
AON6558适用于众多领域中的电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器,用于电压调节和电平转换。
3. 电机控制和驱动,如小型直流电机或步进电机。
4. 各类负载开关场合,用以实现动态负载管理。
5. 过流保护电路,提供短路保护功能。
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