类型：双肖特基势垒二极管（共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流反向电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IO）：200mA（每芯片）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：5A
　　正向压降（VF）：典型值0.45V（在100mA时），最大值0.6V（在200mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大值10μA（在80V、25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323 或类似小型表面贴装封装
　　极性配置：双阳极共阴极（Dual Anode Common Cathode）

SM02(8.0)B-BDBS-1-TB(LF)(SN) 具备优异的电学性能与可靠性，其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术，实现了低正向导通压降与快速开关响应的结合。在典型工作条件下，其正向压降仅为0.45V左右（测试条件为100mA），相比传统PN结二极管（通常为0.7V以上），能显著降低功耗，提高系统效率，特别适用于电池供电设备或对能效敏感的应用场景。同时，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使其非常适合用于高频开关电路中，如开关电源、DC-DC变换器和高速信号整流等场合，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件采用共阴极双二极管结构，允许用户在同一封装内实现两个独立的整流通道，节省PCB布局空间并简化电路设计。例如，在双路LDO输出或双通道电源监控电路中，可分别使用两个阳极进行电压采样或钳位保护。此外，其最大反向电压为80V，适用于中低压应用环境，既能满足大多数数字逻辑电路和模拟前端的保护需求，又具备足够的安全裕量应对瞬态电压波动。
　　从封装角度看，SM02(8.0)B-BDBS-1-TB(LF)(SN) 采用SOD-323或兼容的小型化表面贴装封装，外形尺寸紧凑（典型为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），非常适合高密度集成的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等。该封装具有良好的热稳定性和机械强度，支持全自动贴片生产线作业，提升了制造效率和产品一致性。同时，器件符合RoHS环保标准（标记为(LF)），采用无铅焊接工艺和锡镍镀层（(SN)），增强了引脚的耐腐蚀性和可焊性，确保长期使用的可靠性，尤其适用于高温高湿等严苛工作环境。

该器件广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效、小型化和高可靠性的场合。常见用途包括：在便携式消费电子产品中作为电池充放电路径的防反接保护二极管；在多路电源管理系统中实现电压轨之间的隔离与优先级选择；在USB接口、音频线路或数据通信端口处提供瞬态电压抑制和静电放电（ESD）防护；在DC-DC升压或降压转换器中用作续流二极管或同步整流辅助元件；在微控制器I/O引脚或传感器信号线路上进行电平钳位，防止过压损坏敏感元件；也可用于LED驱动电路中的电流隔离或背光调节模块中的电压采样。
　　此外，由于其快速响应特性，该器件还常被用于高频信号检测电路，如射频识别（RFID）标签、近场通信（NFC）模块中的信号解调整流环节。在工业自动化设备中，可用于PLC输入模块的信号调理部分，实现对外部开关信号的整形与隔离。在汽车电子领域，尽管其功率等级不高，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的低功率电源管理单元中，执行电压监测与故障保护功能。总之，凭借其小体积、低功耗和高响应速度，SM02(8.0)B-BDBS-1-TB(LF)(SN) 在现代电子设计中扮演着不可或缺的角色。

MBR0280T1G
　　SMS240A-TP
　　BAT54C-WT
　　RB751V-40
　　PMDS390A