SLT-S009T 时间：2025/9/6 21:59:22 阅读：35

SLT-S009T 是一款由 Silan（士兰微电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种功率开关应用，包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等场景。SLT-S009T 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于中高功率应用领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：9mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

SLT-S009T 采用了先进的沟槽式（Trench）工艺技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　在 10V 栅极驱动电压下，该 MOSFET 可提供高达 180A 的连续漏极电流，适合高电流负载的应用场景。
　　其高功率耗散能力（250W）和良好的热管理特性，使得该器件能够在高功率密度环境下稳定工作。
　　此外，该器件的栅极氧化层设计优化，提供了较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在复杂开关环境下的稳定性和可靠性。
　　SLT-S009T 的 TO-263（D2PAK）表面贴装封装形式，有利于自动化生产，同时也便于散热设计，提高了在 PCB 上的热传导效率。
　　由于其优异的导通特性和开关性能，SLT-S009T 在电源转换、马达驱动、电池管理系统等应用中具有广泛的应用前景。

应用

SLT-S009T 广泛应用于各类功率电子系统中，如同步整流 DC-DC 转换器、高效电源模块、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备中的马达驱动电路，以及高功率 LED 驱动电源等。
　　其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率、小体积和高性能的电源管理模块。
　　在汽车电子领域，SLT-S009T 可用于车载充电器、启动电机控制器以及车载逆变器等关键电路中。