SLT-S009T 是一款由 Silan(士兰微电子)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种功率开关应用,包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等场景。SLT-S009T 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于中高功率应用领域。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):180A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):250W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
SLT-S009T 采用了先进的沟槽式(Trench)工艺技术,具有非常低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。
在 10V 栅极驱动电压下,该 MOSFET 可提供高达 180A 的连续漏极电流,适合高电流负载的应用场景。
其高功率耗散能力(250W)和良好的热管理特性,使得该器件能够在高功率密度环境下稳定工作。
此外,该器件的栅极氧化层设计优化,提供了较高的栅极电压耐受能力(±20V),增强了在复杂开关环境下的稳定性和可靠性。
SLT-S009T 的 TO-263(D2PAK)表面贴装封装形式,有利于自动化生产,同时也便于散热设计,提高了在 PCB 上的热传导效率。
由于其优异的导通特性和开关性能,SLT-S009T 在电源转换、马达驱动、电池管理系统等应用中具有广泛的应用前景。
SLT-S009T 广泛应用于各类功率电子系统中,如同步整流 DC-DC 转换器、高效电源模块、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备中的马达驱动电路,以及高功率 LED 驱动电源等。
其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率、小体积和高性能的电源管理模块。
在汽车电子领域,SLT-S009T 可用于车载充电器、启动电机控制器以及车载逆变器等关键电路中。
SiR180DG、IRF180N、FDMS86180、SLT-S009T7