B78108S1102K 时间：2025/12/27 12:36:02 阅读：21

B78108S1102K是EPCOS（现为TDK集团的一部分）生产的一款陶瓷电容器，属于多层陶瓷电容器（MLCC）类别。该器件主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用。其型号遵循EPCOS的标准命名规则，其中‘B78108’代表产品系列，‘S’表示尺寸代码，‘1102’表示电容值为1100pF（即1.1nF），而‘K’代表容差为±10%。该电容器采用表面贴装技术（SMT），适用于自动化装配流程，广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信模块中。
　　B78108S1102K使用X7R型介电材料，这种材料具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的温度范围内，电容值变化不超过±15%。这使得它在需要稳定性能但又不苛求极高精度的应用场合中非常受欢迎。此外，该器件额定电压为100V DC，适合中等电压工作的电源线路或信号路径中使用。其小型化封装设计有助于节省PCB空间，提升整体系统集成度。

参数

型号：B78108S1102K
　　电容值：1.1nF (1100pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：100V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（NiSn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　无铅：是
　　符合RoHS：是

特性

B78108S1102K所采用的X7R陶瓷介质赋予了其优异的温度稳定性和电气性能一致性。在宽温范围内，其电容值的变化幅度控制在±15%以内，这对于诸如电源去耦、中频滤波和阻抗匹配等应用场景至关重要。相比Y5V等其他介电类型，X7R材料在温度变化下的电容保持率更高，避免了因环境温度波动导致电路性能漂移的问题。此外，X7R材料还具备较低的电老化速率，长期使用过程中电容衰减较小，提升了系统的可靠性与寿命。
　　该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频条件下仍能有效发挥滤波作用。特别是在开关电源的输出端，它可以快速响应瞬态电流变化，抑制电压纹波，从而保障后级电路的稳定运行。其100V的额定电压适用于大多数中压直流电路，如DC-DC转换器、FPGA或ASIC的供电网络中作为局部储能元件。
　　结构上，B78108S1102K采用多层叠片式构造，内部由多个交错排列的金属电极与陶瓷介质层组成，这种设计不仅提高了单位体积内的电容密度，也增强了机械强度和抗热冲击能力。在回流焊过程中，能够承受高温而不发生裂纹或性能劣化。同时，其两端带有镍阻挡层和锡外涂层，确保良好的可焊性，并防止银迁移现象的发生，提高了在潮湿环境下的长期可靠性。
　　作为EPCOS/TDK的产品，B78108S1102K遵循严格的制造标准，具有高度的一致性和批量稳定性，适合大规模自动化生产。此外，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，可用于对可靠性要求较高的工业及汽车电子领域。整体而言，B78108S1102K是一款性能均衡、应用广泛的通用型MLCC，在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡。

应用

B78108S1102K广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要稳定电容值和中等耐压能力的场合。常见用途包括电源管理电路中的去耦电容，用于消除集成电路（IC）供电引脚上的噪声干扰，例如微控制器、数字信号处理器（DSP）和现场可编程门阵列（FPGA）等高速逻辑器件的电源滤波网络。在此类应用中，该电容器能有效吸收高频瞬态电流，维持电源轨的电压稳定，防止因电流突变引起的误动作或系统崩溃。
　　另一个典型应用是在模拟信号链路中作为交流耦合电容，用于隔离直流偏置电压的同时传递交流信号。由于其X7R介质具有较好的线性度和较低的失真，适合用于音频放大器、传感器接口电路和数据采集系统中。此外，在LC滤波器或RC定时电路中，B78108S1102K也可作为精确的时间常数设定元件，配合电阻或电感实现特定频率响应。
　　在DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，该电容器常被用作输入和输出滤波元件，帮助平滑电压波动并减少电磁干扰（EMI）。其100V额定电压足以应对多数非高压电源拓扑结构的需求。此外，工业控制板、通信基站、网络交换设备以及汽车电子控制单元（ECU）中也普遍采用此类规格的MLCC进行信号完整性优化和电源完整性设计。
　　得益于其小型化封装和高可靠性，B78108S1102K同样适用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，PCB空间极为宝贵，因此高体积效率的SMD元件尤为重要。综合来看，该器件适用于对温度稳定性、尺寸紧凑性和长期可靠性有一定要求的多种电子系统。