类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

TM9550KP具有多项优异特性，使其适用于高功率和高效率的电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体能效，这对于设计高效电源转换器至关重要。其次，该器件支持高达100A的连续漏极电流，适合大电流应用场景，如大功率电机驱动器和电源模块。此外，TM9550KP的漏极-源极电压额定值为60V，适用于中低压电源系统，如48V直流供电设备。其栅极-源极电压范围为±20V，提供了较高的驱动灵活性和保护能力，防止栅极过压损坏。该器件的TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还能在有限空间内实现高效散热，确保长时间高负载工作下的稳定性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统响应速度。综合这些特点，TM9550KP在高性能电源管理和功率控制领域表现出色。
　　此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬态或过载条件下的可靠性。其设计考虑了电磁干扰（EMI）优化，有助于减少高频开关过程中产生的噪声。在工业自动化、电动车控制系统和通信电源等关键应用中，TM9550KP可作为核心功率开关元件，提供稳定、高效的性能支持。其封装形式便于安装在标准散热片上，方便用户进行热管理设计。

TM9550KP广泛应用于多个高功率电子系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化设备、电动车充电系统以及功率放大器等。其高电流能力和低导通电阻使其在高负载条件下仍能保持良好的效率和稳定性，适用于需要频繁切换和大电流承载能力的电源设计。在电动车领域，该器件可用于车载充电器、电机控制器等模块，提供高可靠性和高效率的功率控制能力。在通信设备中，TM9550KP可用于48V电源转换系统，满足现代通信基础设施对高效率、高功率密度的需求。

Si7461DP, IRF1405, FDP100N60, IPW95R120C3