时间：2025/5/7 23:45:50
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SLF13N50C是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在高频和高功率环境中使用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：13A
导通电阻：2.4欧姆
栅极电荷：28nC
开关时间：ton=80ns, toff=36ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
SLF13N50C采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了效率。
其高开关速度使其非常适合高频开关应用，同时保持了较低的开关损耗。
该器件具备出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。
此外，SLF13N50C的封装设计优化了散热性能，进一步增强了其可靠性。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。
由于其高耐压和大电流能力，SLF13N50C特别适用于工业控制、汽车电子和家用电器领域。
STP13NF50, IRF540N
