时间:2025/11/7 23:00:08
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LB-502VD是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态过电压防护。该器件属于表面贴装型封装,适用于需要高可靠性、小体积的电子设备中。LB-502VD采用双向保护结构设计,能够在正负两个方向上对瞬态电压进行有效钳位,从而保护下游敏感元器件免受高压脉冲的损害。其典型应用场景包括便携式消费类电子产品、通信接口、数据线保护以及工业控制设备等。
该器件基于硅半导体工艺制造,具有快速响应时间(通常在皮秒级别),能够在瞬态事件发生的瞬间迅速导通,将浪涌电流安全泄放到地。同时,LB-502VD具备较低的漏电流和电容值,确保在正常工作状态下对信号完整性的影响最小化,特别适合高速数据线路如USB、HDMI、以太网端口等的保护需求。
类型:双向TVS二极管
反向截止电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):最小6.4V,最大7.8V
钳位电压(VC):13.0V(在IPP=1A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):1.0A(8/20μs波形)
峰值脉冲功率(PPPM):100W(8/20μs)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-523
引脚数:2
极性:双向
电容值(Cj):典型值为30pF(在0V偏压下)
漏电流(IR):最大值为1μA(在VRWM=5.0V时)
LB-502VD的核心特性之一是其双向电压抑制能力,使其能够应对正负极性的瞬态过电压事件,这在处理交流信号或双极性数据线时尤为重要。例如,在USB 2.0或RS-232接口中,信号可能在正负之间摆动,使用单向TVS可能会导致误动作或无法提供完整保护,而LB-502VD的双向结构正好解决了这一问题。该器件的击穿电压范围设定在6.4V至7.8V之间,确保在5V系统中正常运行时不被触发,仅在出现异常高压时启动保护机制。
另一个关键特性是低动态电阻和快速响应时间。由于采用了先进的硅PN结技术,LB-502VD在遭遇ESD冲击(如IEC 61000-4-2标准规定的±8kV接触放电)时,能在极短时间内(通常小于1纳秒)从高阻态切换到低阻态,迅速将能量引导至地线,防止其传递到后级IC。这种快速响应能力对于现代高速数字电路至关重要,因为即使是短暂的过压也可能损坏CMOS输入级。
此外,LB-502VD具有非常低的寄生电容(典型值30pF),这对于高频信号路径尤为重要。高电容会引入信号衰减、反射和失真,影响通信质量。因此,该器件非常适合用于保护高速接口,如USB、蓝牙模块、Wi-Fi天线前端等。同时,其SOD-523小型封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴片生产,提升了制造效率与产品一致性。
热稳定性和长期可靠性也是LB-502VD的重要优势。器件经过严格的老化测试和环境应力筛选,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适应严苛的工业和汽车应用环境。其封装材料符合RoHS指令要求,支持无铅焊接工艺,满足现代绿色电子产品的环保标准。
LB-502VD广泛应用于各类需要ESD和瞬态电压保护的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的接口保护,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备上的USB Type-A或Micro-USB端口。这些设备经常暴露在人体接触带来的静电风险下,尤其是在干燥环境中,用户插拔充电线或数据线时极易产生数千伏的静电放电。LB-502VD可以有效吸收这类瞬态能量,防止主控芯片或电源管理单元受损。
在通信领域,该器件可用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等工业通信接口,抵御雷击感应或电源耦合引起的浪涌电压。由于其双向特性和良好的信号保真度,也常用于音频线路、麦克风输入、耳机插孔等模拟信号通道的防护。
此外,LB-502VD还可用于嵌入式系统的I/O端口保护,特别是在微控制器(MCU)、FPGA或传感器接口处。当外部传感器或执行器连接不稳定或存在电气噪声时,瞬态干扰可能通过长线耦合进入系统,造成复位、死机甚至永久损坏。通过在每个I/O引脚并联一个LB-502VD,可显著提升系统的电磁兼容性(EMC)性能。
在汽车电子中,虽然该器件未专门认证为AEC-Q101等级,但仍可用于非关键子系统中的低压信号线保护,如车载信息娱乐系统的辅助接口或内部通信线路。总之,凡是存在低能量瞬态威胁且工作电压在5V左右的应用场景,LB-502VD都是一种经济高效且可靠的保护方案。
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"SM712-02",
"TPD1E10B09DPYR",
"ESD9L5.0ST5G"
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