时间：2025/7/18 18:19:11
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SLEB19N2RM是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率和高频率的电源转换应用。这款晶体管采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及汽车电子等高性能需求的场合。SLEB19N2RM采用紧凑的表面贴装封装（例如PowerPAK 1212-8封装），有助于减少电路板空间占用并提高功率密度。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：19A
漏-源电压（Vds）：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
最大工作温度：150°C
封装类型：PowerPAK 1212-8
SLEB19N2RM的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏-源电压可达到200V，适合用于中高功率的电源应用。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了工作频率下的效率表现。SLEB19N2RM还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。此外，该器件的封装设计有助于高效的散热管理，提升了器件在高电流负载下的可靠性。
另一个关键特性是其封装形式，PowerPAK 1212-8封装是一种表面贴装封装，体积小且热性能优异，能够有效传导热量，减少热阻，从而在高功率密度应用中提供良好的散热解决方案。这种封装也有助于实现更高的组装密度和更小的PCB面积占用。SLEB19N2RM还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的保护，增强系统的稳定性。
SLEB19N2RM广泛应用于各种高功率电子设备中，例如DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关以及电源管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统以及车载娱乐系统等。此外，它还适用于工业自动化设备、电源适配器、UPS不间断电源以及LED照明驱动电路。由于其优异的开关性能和热管理能力，SLEB19N2RM特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
IPB19N20N3 G | SPW19N20CF3 | STP19NK20Z | IRFZ48N
