类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：50mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8

MMSF3P03HDR1 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有非常低的导通电阻，能够在高电流条件下提供更低的功率损耗，提高系统效率。该器件支持较高的栅极电压（±20V），提高了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
　　其 SO-8 封装形式适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型 PCB 设计中使用，并具备良好的热管理能力。在 VGS = -10V 时，RDS(on) 仅为 33mΩ，在同类器件中表现优异，有助于减少发热并提升整体性能。
　　此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，同时具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能。其低栅极电荷（Qg）特性也使其在高速开关电路中表现良好，减少了开关损耗。
　　MMSF3P03HDR1 还具有较高的耐用性和可靠性，适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。

该器件广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池保护电路以及便携式电子设备中。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适用于需要节能和热管理优化的电源设计。
　　在汽车电子系统中，MMSF3P03HDR1 可用于车身控制模块、电动门窗、LED 照明驱动电路等场合。在工业自动化设备中，它可用于继电器替代、电机驱动以及智能电表的功率控制部分。
　　此外，该 MOSFET 在通信设备、服务器电源、笔记本电脑和移动电源等领域也有广泛应用。

Si4435BDY, FDS6680, AO4403, NVTFS5C428NLTAG, FDC640P