FST16233MTDX是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。其封装形式为SOT-23-3,适合在空间受限的应用中使用。
这款MOSFET主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域,能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻(典型值):0.075Ω
总功耗:410mW
工作结温范围:-55℃至+150℃
FST16233MTDX的低导通电阻可以显著减少导通损耗,从而提高整体能效。
其小型SOT-23-3封装非常适合便携式设备和其他需要紧凑设计的应用。
此外,该器件具备快速开关能力,能够在高频应用中表现出色。
FST16233MTDX还拥有良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持性能稳定。
它支持宽泛的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的电子设备。
FST16233MTDX广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电源管理模块以及电池保护电路等领域。
在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑及可穿戴设备,这款MOSFET可用于高效管理电源分配。
工业领域方面,它可以用于自动化控制系统的信号切换和功率调节。
同时,FST16233MTDX也适用于音频设备中的电平转换和功率放大电路。
FDS1900A, BSS138, AO3400A