型号：TISP4115T3BJ
　　制造商：Texas Instruments
　　封装类型：SOT-23-6
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：15V
　　击穿电压（VBR）：16.7V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　钳位电压（VC）：24V @ 1A
　　寄生电容（典型值）：15pF
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2, Air Discharge）
　　接触放电耐受：±20kV
　　反向漏电流（IR）：1μA 最大值
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性配置：双向保护

TISP4115T3BJ的核心特性之一是其低电容设计，每个通道的典型输入/输出电容仅为15pF，这一特性使其非常适合用于高速信号线路的保护，例如USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线以及音频接口等。在高频信号传输过程中，过高的寄生电容会导致信号衰减、反射和失真，影响通信质量。而TISP4115T3BJ通过优化内部结构和材料选择，显著降低了结电容，从而最大限度地减少了对原始信号波形的影响，保证了高速数据传输的完整性与稳定性。
　　另一个关键特性是其双向电压保护能力。与单向TVS二极管仅能处理负向瞬态不同，TISP4115T3BJ内置的双向二极管结构可以同时抑制正向和负向的瞬态过电压，适用于交流或双极性信号线路。这种设计特别适合现代通信接口中常见的差分信号对（如D+ / D-），能够在不区分极性的情况下提供全面防护。此外，该器件具备优异的响应速度，响应时间低于1ns，远快于大多数瞬态事件的发展速度，确保在电压尖峰到达被保护IC之前就完成导通并钳位电压。
　　热稳定性和长期可靠性也是TISP4115T3BJ的重要优势。器件采用符合RoHS标准的无铅封装，并经过严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环和长期偏置老化试验。其最大功耗可达300mW，在合理布局和PCB散热设计下可长时间承受重复性瞬态冲击。此外，该器件支持AEC-Q101车规级认证的部分型号变体，表明其在恶劣环境下的稳健表现，可用于汽车电子系统中的传感器接口或车载信息娱乐系统的数据端口保护。

TISP4115T3BJ广泛应用于各类需要高可靠性和高性能ESD保护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，这些产品通常配备多个外露连接器（如耳机插孔、充电端口、数据接口），极易受到用户操作过程中产生的静电放电影响。通过在I/O引脚前级部署TISP4115T3BJ，可有效吸收高达±30kV的空气放电ESD脉冲，避免主控芯片或音频编解码器因静电击穿而损坏。
　　在工业自动化领域，该器件常用于保护PLC模块、现场总线接口（如Profibus、Modbus）和人机界面（HMI）设备的数据通信线路。由于工业环境中存在大量电机启停、继电器切换等电磁干扰源，容易引发电气快速瞬变（EFT）现象，导致通信中断或控制器复位。TISP4115T3BJ凭借其高瞬态吸收能力和低残压特性，能够有效滤除此类干扰，提升系统运行稳定性。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备中的信号输入端口保护，例如病人监护仪的传感器接口、超声探头连接器等，这些场合对信号保真度和安全性要求极高。TISP4115T3BJ的低电容和低漏电流特性确保不会引入额外噪声或影响微弱生理信号采集。在汽车电子中，它可用于车身控制模块、车载导航系统和ADAS传感器接口的二级ESD防护，配合主级保护器件形成多级防护体系，增强整车电磁兼容性能。

TPD4E1B61DRVR
　　SP4115-04UTG
　　ESD9L5.0ST5G
　　MAX4115EWI+T