SL05T1G 时间：2025/4/29 14:23:33 阅读：4

SL05T1G 是一款高性能的 N 治金氧化物半导体场效应晶体管（N-MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用小型化封装，具备低导通电阻和快速开关特性，适合高频应用环境。
　　SL05T1G 的设计目标是为工程师提供一种高效节能且空间占用小的解决方案，特别适用于对功率密度和效率有较高要求的设计。

参数

型号：SL05T1G
　　类型：N沟道 MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：27A
　　Qg（栅极电荷）：30nC
　　Vgs(th)（栅源开启电压）：2V~4V
　　Tj（结温范围）：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)

特性

SL05T1G 具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），使其非常适合高频应用。
　　3. 高电流承载能力（27A），确保在大负载条件下依然保持稳定性能。
　　4. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种恶劣环境下的应用需求。
　　5. 小型化的 TO-263 封装，节省电路板空间，同时提供良好的散热性能。

应用

SL05T1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
　　6. 各种需要高效功率转换和开关操作的应用场景。