时间：2025/6/21 10:49:15
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SI1967DH-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC/DC 转换器、负载开关以及其他需要高效能功率管理的应用。其封装形式为 ThinPAK 8x8 封装，具备出色的散热性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷：35nC（典型值）
反向恢复时间：22ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI1967DH-T1-GE3 使用了第三代 TrenchFET 技术，提供超低的导通电阻以减少传导损耗。
其 ThinPAK 封装设计使得器件能够更紧密地集成到电路板中，同时改善热传递效率。
该 MOSFET 的快速开关速度有助于降低开关损耗，并提升整体系统效率。
它还具备较高的雪崩耐量能力，增强了在恶劣条件下的可靠性。
适用于高频应用场合，可以显著提高转换效率并减小整体解决方案尺寸。
这款 MOSFET 广泛应用于消费类电子设备、通信设备及工业领域中的多种场景。
主要应用包括：
- 开关电源 (SMPS)
- DC/DC 转换器
- OR-ing 应用
- 电池保护
- 负载开关
- 电机驱动
- 电信基础设施中的功率级管理
由于其低 Rds(on) 和卓越的动态性能，它成为许多高性能电力电子设计的理想选择。
SI1965DH, SI1966DS
