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FP42N03L 发布时间 时间:2025/9/7 0:30:33 查看 阅读:4

FP42N03L是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件的一种。该器件专为高效率和低导通损耗而设计,适用于各种功率转换应用,例如电源供应器、DC-DC转换器以及电机控制电路。FP42N03L采用先进的沟槽栅极技术,以实现更低的导通电阻(Rds(on))和更优的开关性能。该器件通常封装在TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装中,便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(最大值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

FP42N03L具有低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。它采用了先进的沟槽栅极技术,使得在保持高电流处理能力的同时,实现了较小的封装尺寸。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而适用于高频开关应用。FP42N03L还具有较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计允许快速散热,提高了器件在高功率应用中的性能。此外,该MOSFET具有较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。
  FP42N03L还具备较低的反向恢复损耗,这在同步整流等应用中尤为重要,有助于进一步提升系统效率。同时,该器件的跨导(Gfs)较高,使其在高负载条件下仍能保持良好的线性度和稳定性。其漏极-源极击穿电压(Vds)为30V,适合用于低压大电流的DC-DC转换器和电池供电系统中。FP42N03L的封装形式通常为TO-252(DPAK),便于自动化生产和表面贴装焊接,适合大规模生产使用。

应用

FP42N03L广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制器、电池充电器以及负载开关电路。在服务器和通信设备的电源模块中,FP42N03L常用于高效率的VRM(电压调节模块)或POL(负载点)转换器中,以实现高效的电压转换和稳定的输出性能。此外,该器件也适用于汽车电子系统中的电源管理模块,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及其他需要高可靠性和高效率的汽车应用。在工业自动化和控制系统中,FP42N03L可用于驱动继电器、电磁阀以及其他高功率负载,确保系统的稳定运行。由于其高效率和紧凑的封装,FP42N03L也常用于便携式设备和电池供电系统中,以延长电池寿命并提高整体能效。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRF4227PBF, FDP42N03AL

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