SKTMACE010是一款基于硅技术的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在高频率和高效率应用场景下的卓越性能。
SKTMACE010的主要特点是低导通电阻和快速开关速度,这使其非常适合需要高效能量转换的应用场景,例如DC-DC转换器、逆变器和LED驱动器等。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总功耗(Ptot):280W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关特性,能够支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
5. 支持高电流操作,适用于大功率系统。
6. 优化的热性能设计,提高了散热效率。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器中的功率级开关。
5. LED照明系统的恒流驱动器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF3710, FDP5500, STP40NF06