时间：2025/12/25 12:41:36
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RB075B40STL是一款由ROHM（罗姆）公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），采用小型HSTAR2L封装，专为高效率、低功耗应用设计。该器件具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间，适用于各类电源整流、DC-DC转换器、续流二极管以及反向电流阻断等场景。由于其优异的热性能和紧凑的封装尺寸，RB075B40STL特别适合对空间和能效要求较高的便携式电子设备与高密度电路板设计。
这款二极管的最大重复峰值反向电压（VRRM）为40V，额定平均整流电流为750mA（在TA=85°C条件下），可承受一定的瞬态过载能力。同时，其低正向导通压降（典型值约0.38V @ IF=100mA）有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率。此外，该产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，表明其具备良好的温度稳定性与长期工作可靠性，可用于车载电子系统中。无铅化设计和符合RoHS规范也使其满足现代绿色电子产品制造的要求。
型号：RB075B40STL
类型：肖特基势垒二极管
封装/包：HSTAR2L
是否无铅：无铅
最大重复峰值反向电压 VRRM：40V
最大平均整流电流 IO：750mA
峰值正向浪涌电流 IFSM：6A
最大正向电压 VF：0.52V @ IF=750mA
最大反向漏电流 IR：0.1μA @ VR=40V
反向恢复时间 trr：典型值低于10ns
工作结温范围 TJ：-40°C ~ +150°C
热阻 Rth(j-a)：约350°C/W（依PCB布局而定）
安装类型：表面贴装（SMD）
RB075B40STL的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降与高效的开关性能。这种结构通过金属-半导体接触形成整流效应，避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应，从而显著缩短了反向恢复时间（trr），通常在纳秒级别以下，极大地减少了高频开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及电池供电设备中的电源管理模块。
该器件在750mA电流下的最大正向压降仅为0.52V，远低于普通硅整流二极管（通常为0.7V以上），这意味着在相同负载条件下，其导通损耗更小，有助于提升电源转换效率并降低散热需求。对于需要长时间运行或依赖电池续航的应用而言，这一点尤为重要。此外，其反向漏电流控制得当，在室温下典型值仅为几微安级别，即使在高温环境下也能保持相对稳定，确保系统的待机功耗不会显著上升。
HSTAR2L封装是一种小型化、高散热性能的表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还通过优化引线框架设计增强了热传导能力，使器件能在较高环境温度下可靠工作。该封装兼容自动化贴片工艺，适用于大规模生产。更重要的是，RB075B40STL通过了AEC-Q101认证，意味着它经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高湿高压等项目，能够在恶劣的汽车电子环境中长期稳定运行，适用于车载充电系统、车身控制模块、ADAS传感器供电等领域。
广泛应用于移动通信设备、便携式消费电子产品、笔记本电脑电源管理、USB供电模块、LCD背光驱动电路、DC-DC降压/升压转换器、逆变器输出整流、太阳能微型逆变器、电池保护电路以及汽车电子系统中的各种低压整流与防反接场合。由于其高频响应能力和低损耗特性，尤其适合用于高频开关电源拓扑结构中作为次级侧整流元件或续流二极管。
SBM140ALT1G,SBR07U40600,SML40T1G,RBR5L4060L
