SKT76016是一款由韩国半导体公司生产的大功率MOSFET晶体管,广泛应用于高功率电子设备中,例如电源管理、电机控制和DC-DC转换器。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于高效能和高可靠性的系统设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):约2.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):约200nC
封装形式:TO-264
工作温度范围:-55°C至175°C
SKT76016的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的高电流容量允许其在高负载条件下稳定运行。SKT76016的封装设计提供了良好的散热能力,有助于在高功率应用中维持较低的工作温度,从而提高整体系统的可靠性。
该MOSFET还具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高功率转换效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了与控制电路的接口。SKT76016的结构设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于降低系统噪声。此外,该器件在极端温度条件下仍能保持稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
SKT76016广泛应用于各种高功率电子系统中,例如电动汽车(EV)充电系统、电动机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。此外,该MOSFET也可用于高功率LED照明系统和电池管理系统(BMS)。
TK80S60X, IPP160N06S4-03, SiR182DP, FDP160N06S