型号：M5M4256AP
　　制造商：Fujitsu
　　存储容量：256 Kbit (32K × 8)
　　封装类型：28-pin DIP 或 SOJ
　　电源电压：+5V ± 5%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　访问时间（典型值）：120 ns / 150 ns / 200 ns（根据版本不同）
　　地址引脚：A0–A14（共15位）
　　数据引脚：DQ0–DQ7
　　控制信号：/RAS, /CAS, /WE, /OE, VCC, GND
　　刷新周期：通常为15.6 μs（需定期刷新所有行）
　　工艺技术：CMOS
　　最大功耗：典型约 100 mW
　　封装尺寸：依据DIP或SOJ标准尺寸

M5M4256AP作为一款经典的异步DRAM芯片，具备多项针对当时应用环境优化的关键特性。
　　首先，其256K位（32KB）的存储组织结构采用32,768个存储单元行，每行8位数据宽度，通过地址多路复用技术将15位地址分为行地址和列地址分别传送，从而有效减少了芯片引脚数量，降低了PCB布线复杂度并提升了系统集成效率。这种设计特别适合资源受限的小型控制系统。
　　其次，该芯片基于CMOS工艺制造，在确保较高集成度的同时显著降低了静态功耗，相较于早期NMOS技术的DRAM产品更加节能，延长了系统运行稳定性。此外，其输入输出接口兼容标准TTL电平，可直接与当时主流的8位和16位微处理器（如Z80、8086、68000等）无缝对接，无需额外电平转换电路，简化了硬件设计。
　　再者，M5M4256AP内置自定时控制逻辑，支持异步读写操作，允许系统根据实际时序需求灵活配置总线周期。其读写使能信号（/WE、/OE）与行选通（/RAS）、列选通（/CAS）组合实现完整的存储访问控制，并支持页模式操作，提升连续地址访问效率。
　　另外，由于DRAM单元依靠电容存储电荷，存在漏电问题，因此M5M4256AP必须周期性地执行刷新操作以维持数据完整性。它支持RAS-only刷新模式，系统可通过定期激活/RAS信号来完成行刷新，这一机制便于由外部控制器或专用刷新逻辑实现管理。
　　最后，该芯片提供多种速度等级（如120ns、150ns、200ns），满足不同性能层级的应用需求，且具备良好的抗干扰能力和温度适应性，可在工业级常温范围内稳定运行，是上世纪80至90年代广泛应用的基础存储元件之一。

M5M4256AP广泛应用于多个需要中低速、中小容量随机存储器的电子系统领域。
　　在嵌入式控制系统中，它常被用于配合8位或16位微控制器（MCU）或微处理器（MPU）构建数据缓存区或程序运行空间，例如在工业自动化设备、PLC模块、数控机床控制面板中作为临时数据存储介质。
　　在消费类电子产品方面，该芯片曾出现在早期的家用电脑扩展卡、打印机缓冲器、传真机图像暂存单元以及游戏机主板中，承担图形数据、字符缓冲或中间计算结果的存储任务。
　　通信设备领域也大量使用此类DRAM，如调制解调器、网络桥接器、电话交换机板卡等，用于帧缓冲、协议处理队列存储等功能。
　　此外，在测试测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，M5M4256AP可用于采集数据的短期存储与传输，支持实时信号处理流程。
　　尽管现代设备已普遍采用更高密度、更低功耗的存储方案，但M5M4256AP仍在老旧设备维修、军工设备延寿、博物馆级电子产品复原等特殊场景中发挥着不可替代的作用。对于从事逆向工程、历史硬件研究的技术人员而言，了解其电气特性和时序要求仍是必要的技能储备。