类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：250A
　　导通电阻(Rds(on))：0.95mΩ
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-264

SKT760/04E具备多项优异的电气特性和物理特性，适合高性能功率应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.95mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率，同时减少了热量的产生。这对于需要高能效和低热管理成本的系统尤为重要。
　　其次，该MOSFET支持高达250A的连续漏极电流，能够应对大功率负载的需求，适合用于高电流应用，如电动工具、大功率DC-DC转换器和工业电机控制。
　　此外，SKT760/04E采用了TO-264封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在高温环境下稳定运行。该封装还提供了较高的机械强度，适用于工业和汽车等严苛环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，确保了与多种驱动电路的良好兼容性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。
　　最后，SKT760/04E具有良好的短路耐受能力，增强了在突发负载变化情况下的稳定性和可靠性。

SKT760/04E广泛应用于需要高电流、低导通损耗和高可靠性的各种功率电子系统中。
　　在电源管理系统中，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路中，以提高能量转换效率并减少发热。
　　在工业控制领域，SKT760/04E可用于高功率电机驱动器、伺服控制器以及变频器，其高电流能力和低导通电阻使其成为电机控制的理想选择。
　　此外，该器件在汽车电子系统中也有重要应用，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及48V轻混动力系统的功率转换模块。
　　由于其优异的热性能和可靠性，SKT760/04E也被广泛用于不间断电源（UPS）和储能系统中，作为主功率开关元件使用。

STP250N4F5AGP-1, IPW65R045C7, FDP250N10A0