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IRLIZ14GPBF 发布时间 时间:2023/3/6 15:55:32 查看 阅读:433

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:逻辑电平门

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:200 毫欧 @ 4.8A, 5V

    漏极至源极电压(Vdss):60V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:8.4nC @ 5V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :400pF @ 25V

    功率 - 最大:27W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线,隔离式),ITO-220AB

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:*IRLIZ14GPBF


资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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IRLIZ14GPBF参数

  • 数据列表IRLIZ14GPBF
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.8A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大27W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLIZ14GPBF