STB18NM80 时间：2025/7/22 22:53:42 阅读：7

STB18NM80 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和高电流处理能力。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及需要高效能功率管理的场合。STB18NM80采用先进的MESH OVERLAY技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种工业和汽车电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：18A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（最大值，典型值可能更低）
　　栅极电荷（Qg）：32nC（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

STB18NM80具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压可达800V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压环境下的开关操作。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.28Ω，在同类器件中表现良好，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，STB18NM80的栅极电荷较低，仅为32nC，这意味着其开关速度较快，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
　　该器件采用先进的MESH OVERLAY技术，提高了热稳定性和可靠性，适用于高功率密度设计。其最大漏极电流为18A，在适当的散热条件下可维持稳定运行。同时，STB18NM80的封装形式（如TO-220和D2PAK）便于安装和散热，适用于多种电路板布局。
　　STB18NM80还具有良好的抗雪崩能力和热保护性能，能够在异常工作条件下提供更高的鲁棒性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件，包括工业自动化、汽车电子和消费类电源系统。

应用

STB18NM80广泛应用于多种功率电子系统中。其最常见的用途包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电机控制电路。由于其高电压和高电流能力，该器件也常用于照明系统、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及家用电器中的功率管理模块。
　　在汽车电子领域，STB18NM80可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车环境下理想的选择。此外，该MOSFET也适用于光伏逆变器、风力发电变流器等可再生能源系统，作为关键的功率开关元件。