时间：2025/8/23 8:55:31
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SKT5712E 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET功率晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高功率和高频率应用设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类开关电源系统中。SKT5712E具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点，使其在功率转换效率和热性能方面表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
SKT5712E MOSFET具备多项优良特性，适用于高性能功率电子设备。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下可低至几毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（Vds=100V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压功率转换应用。
此外，SKT5712E采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的开关性能，能够实现快速的导通和关断，减少开关损耗。其高栅极电荷（Qg）设计在保证开关速度的同时，也提供了良好的抗干扰能力，适合在高频工作环境中使用。
该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，具有良好的热管理和散热性能，便于在PCB上安装和散热设计。同时，该封装形式支持自动化生产，提高制造效率。
SKT5712E还具备较高的可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽达-55℃至+175℃，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求高的应用场景。
SKT5712E MOSFET主要应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于DC-DC降压或升压转换器，提供高效的能量转换能力。在电机驱动器中，该器件能够承受较大的负载电流，实现对直流电机或无刷电机的精确控制。
此外，SKT5712E也常用于开关电源（SMPS）、电池充电器、逆变器以及功率因数校正（PFC）电路中。在汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）中，该MOSFET同样发挥着重要作用。
由于其优异的热性能和封装设计，SKT5712E也非常适合用于紧凑型高功率密度的电源模块和工业自动化设备中，如伺服驱动器、PLC电源模块以及工业机器人控制系统。
IRF1405, IPW60R045C6, FDP80N10
