时间：2025/8/23 6:36:51
阅读：5
SKT510F04DS是一款由SK集团旗下的SK Hynix公司生产的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源转换系统中。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和高效的开关性能。SKT510F04DS通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源管理单元以及工业控制设备中，能够提供稳定的功率输出，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：4.0mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V - 4.0V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SKT510F04DS具有优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，使得电流密度更高，导通性能更优。此外，其高耐压能力和稳定的栅极特性使其适用于高负载和高频开关应用。SKT510F04DS还具备良好的散热性能，能够有效降低工作时的温升，提高整体系统的稳定性与寿命。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备中对环保材料的要求。
SKT510F04DS广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动系统。在服务器电源、工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。由于其高效率和高稳定性的特点，该器件特别适合用于对电源效率和散热要求较高的应用场景。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710PBF, FDS4410A
