时间：2025/7/29 12:17:52
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2SK681A是一种N沟道功率MOSFET，常用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和功率放大器等应用中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种高功率电子设备。作为一款经典的功率MOSFET，2SK681A在工业控制、电源管理和消费类电子产品中广泛使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（典型值）
最大功耗(Pd)：150W
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220
2SK681A具有优异的电气性能和稳定的开关特性，适用于多种功率应用。其最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。该器件的漏极电流可达15A，在适当的散热条件下可支持较高的功率输出。导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，2SK681A的栅极阈值电压范围适中，便于驱动电路设计，确保稳定的导通和关断操作。其封装形式为TO-220，便于安装和散热处理，适用于各种电路板布局。2SK681A在高温环境下仍能保持良好的性能，具有较强的热稳定性。
2SK681A广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率放大器等。其高电压和高电流能力使其适用于工业控制、家电电源、LED驱动电源和电池充电器等应用场景。此外，2SK681A还可用于音频功率放大器中的输出级，提供良好的音质表现。
2SK681, 2SK1058, 2SK2141, IRFBC40
