SKT350F11DT 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如工业电机驱动、变频器和电力转换系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具备高电流承载能力和优良的热性能。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):350A
短路耐受能力:10μs @ 150°C
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式(Dual)
栅极驱动电压:+15V/-15V
短路电流能力:1200A
导通压降:约2.1V(典型值)
SKT350F11DT 具备多项优异特性,适合在高功率和高可靠性要求的应用中使用。首先,其高集电极-发射极电压(VCES)为1200V,能够在中高压系统中稳定运行。其次,该模块的额定集电极电流为350A,支持大功率输出,适用于大功率电机驱动和变频器应用。
该模块采用了东芝先进的IGBT技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统的效率。其导通压降典型值为2.1V,使得导通损耗相对较低,而开关损耗优化则有助于提高高频工作时的能效。
此外,SKT350F11DT 具有良好的短路耐受能力,可在极端条件下(如负载突变或短路故障)保持稳定运行。短路电流能力高达1200A,并可在10μs内承受高温应力,有效保护系统免受损坏。
该模块还具有优良的热管理特性,采用高性能陶瓷基板(如Al2O3或Si3N4)以提高散热效率,确保在高功率密度应用中的长期可靠性。其工作温度范围从-40°C至+150°C,适应工业环境中的广泛温度变化需求。
在封装设计方面,SKT350F11DT 采用双列直插式(Dual)结构,支持并联使用,提高了系统的灵活性和可扩展性。这种封装方式也有助于降低寄生电感,从而减少开关过程中的电压尖峰,提高系统的稳定性和安全性。
SKT350F11DT 主要应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电力电子系统。例如,在工业变频器中,该模块可用于驱动大功率交流电机,实现节能和精准控制。在电动汽车和充电设备中,它可用于DC-AC逆变器和电池管理系统,提供高效的能量转换和稳定的运行性能。
在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风力发电变流器,SKT350F11DT 可用于将直流电转换为交流电并馈入电网,其高效率和低损耗特性有助于提升整体系统的能源利用率。同时,该模块还可用于电焊机、UPS不间断电源和感应加热设备等高功率工业设备,满足不同应用场景对电力电子元件的高性能需求。
SKM350GB12T4, FF300R12KE4, CM350DY-24H