时间：2025/6/4 17:12:24
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IPD096N08N3G是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种电源管理应用场合，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为SOT-223，能够提供出色的散热性能和可靠性。
这款功率MOSFET在设计时充分考虑了效率和功耗的平衡，适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。此外，IPD096N08N3G的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源极电压，从而确保在复杂电路环境中的稳定性。
型号：IPD096N08N3G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏电流(Id)：96A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：SOT-223
IPD096N08N3G的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，仅为3.5mΩ，可显著降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达96A的持续漏电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，具有较低的输入电容和输出电容，优化了开关速度和动态响应。
4. 宽工作电压范围，最大漏源电压可达80V，适应多种电压等级的应用。
5. 高可靠性和耐用性，经过严格的质量测试，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
6. 优异的热性能，得益于SOT-223封装的设计，有助于散热并提升整体效能。
IPD096N08N3G适用于以下应用领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电池管理系统(BMS)，用于保护电池免受过流和短路的影响。
3. 电机驱动，如无刷直流电机控制和步进电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率级切换。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器模块。
7. 其他需要高性能功率开关的场合，如LED驱动和音频放大器等。
IPB096N08N3G, IPP096N08N3G
